製造商產品編號:
TSM60N900CI C0G
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM60N900CI C0G-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
详细描述:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220AB
庫存:
12894521
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TSM60N900CI C0G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
480 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
ITO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
基本產品編號
TSM60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
TSM60N900CIC0G
TSM60N900CI C0G-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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